ZNDS智能电视网获悉，中国展助造《绽放》记录了杭州亚运会开幕式精彩绽放背后那些不为人知而又感人至深的故事，历时三年精心打造。

力中（a）AB堆叠和（b）AA堆叠的MoSSe双层的顶部和底部MoSSe单层的S层和Se层之间的平均电荷密度差（以0.001e/Å3为单位）与层间距离变化曲线。（a）当层间距离从0.96nm减小到0.91nm时，国创高性最大极化改变（以pC/m为单位）与相应最大滑动能垒（以meV为单位）的变化曲线。

（a）A-B堆叠MoSSe双层弛豫后原子构型的俯视图和侧视图，试仪以及A-C堆叠双层的侧视图。 文章链接：中国展助造Tribo-piezoelectricityinJanustransitionmetaldichalcogenidebilayers:afirst-principlesstudy.(NanoEnergy,DOI:10.1016/j.nanoen.2018.11.027) 本文由材料人编辑部金属材料学术组艾超供稿，中国展助造郭宇锋教授课题组校稿，材料牛编辑整理。力中【图文导读】图2.MoSSe双层层间滑动的势能面（PES）和极化偏差面（PDS）。

最近，国创高性利用化学气相沉积和热硒化方法，国创高性可在MoS2单层中用Se原子完全替代顶层S原子，从而成功合成了2H相的双面神（Janus）MoSSe单层，这种JanusMoSSe的原子布局破坏了离面的结构对称性，并导致了垂直方向的偶极矩。试仪科学家们的研究结果为JanusTMD材料在能量转换与收集器件和设备中的应用提供了一些新的见解。

【总结】对于JanusTMD双层，中国展助造保持层间距离不变的面内层间滑动可以显着提高离面压电性。

【引言】作为典型的二维（2D）材料，力中过渡金属硫族化合物（TMD）是半导体性的，在场效应晶体管，超薄光电探测和发光器件中具有广泛的应用潜力。由于固有的多级不对称性，国创高性混合膜表现出电荷控制的不对称离子传输行为，可以大大减少离子极化现象。

试仪2008年兼任北京航空航天大学化学与环境学院院长。中国展助造2014年作为中国大陆首位获奖人获得美国材料学会奖励MRSMid-CareerResearcherAward。

该研究为多孔材料和智能除湿材料的设计提供了一条新途径，力中在生物医学材料、先进功能纺织品、工程除湿材料等方面具有广阔的应用前景。获日中科技交流协会有山兼孝纪念研究奖(1992)、国创高性香港求是科技基金会杰出青年学者奖(1997)、国创高性中国分析测试协会科学技术奖一等奖(2005)、教育部高等学校科学技术奖自然科学一等奖(2007)、国家自然科学二等奖(2008, 2017)、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖(2012)、宝钢优秀教师特等奖(2012)、日本化学会胶体与界面化学年会Lectureship Award(2016)、北京大学方正教师特别奖(2016)、北京市优秀教师(2017)、ACS Nano LectureshipAward(2018)等。